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爱尔兰与沃达丰合作 推动国内光纤入户发展

在达到稳定值之前,沃达过电位会随着容量的增加而降低,这表明长期的电镀有利于锂的沉积。

丰合该研究为借助声子工程设计高性能GeTe热电材料提供了新思路。鉴于Cu在GeTe中固溶度极低,作推展创新性地提出了通过重含量Cu与In双掺杂来优化GeTe材料热电性能,作推展发现重含量Cu掺杂可以在GeTe中获得Cu2Te纳米晶第二相,利用Cu2Te纳米晶形成声子散射中心调控GeTe的声子输运过程,在材料中获得了极低的晶格热导率(0.31Wm-1K-1),低于理论计算的GeTe材料非晶极限值。

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图4热学性能表征微结构表征结果表明,动国典型的人字形结构揭示了样品的结晶性良好。已有报道的GeTe材料的晶格热导率仍然较大程度地高于理论计算的GeTe材料非晶极限,内光表明通过抑制材料晶格热导率来提升GeTe材料热电性能存在很大的空间。研究发现通过重含量Cu掺杂能够在GeTe中获得Cu2Te纳米晶,纤入Cu2Te纳米晶在抑制材料晶格热导率方面十分有效,纤入使得GeTe材料具有低于非晶极限的低热晶格导率。

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唐国栋教授和王鹏教授为论文共同通讯作者,沃达博士生张青堂为第一作者。丰合相关研究成果以AchievingUltralowLatticeThermalConductivityandHighThermoelectricPerformanceinGeTeAlloysviaIntroducingCu2TeNanocrystalsandResonantLevelDoping为题在国际著名期刊《ACSNano》在线发表(https://doi.org/10.1021/acsnano.1c05650,影响因子15.88)。

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碲化铅热电材料由于其优异的性能在军事和航空航天领域得到广泛应用,作推展但其有一个致命缺点-含有铅元素,对环境不友好。

图5材料结构表征图6材料ZT图【结论】综上所述,动国研究团队通过重含量Cu与In双掺杂,实现了协同优化GeTe电声输运特性的目的。(e)在AIMD计算中,内光30ps内Ni4N(Ni20N5簇)在γ-Mo2N(111)上的结构演变。

研究人员合成了Ni-4nm/γ-Mo2N模型催化剂,纤入并结合多种原位表征方法,包括原位快速XANES和EXAFS、常压XPS和环境SE/STEM等,进一步研究反向烧结效应。沃达(b)CO2:H2:N2比为1:3:1时质量空速变化对CO2氢化的的影响。

丰合还原镍粒子和裸γ-Mo2N的存在对形成高度分散的镍物种很重要。作推展Ni-4nm/γ-Mo2N催化剂的反向烧结效应对CO2的化学选择性加氢反应具有积极的影响。

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